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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日：2023-11-17
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232850A
主分类号：H03F1/30
分类号：H03F1/30;H03F1/02;H03F1/56;H03K19/0175;H03F3/20
优先权：["20221219 US 18/067,788"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种放大器模块包括具有安装表面的模块基板，以及延伸穿过所述模块基板的散热结构。功率晶体管管芯的接地触点耦合到所述散热结构的表面。囊封剂材料覆盖所述模块基板的所述安装表面和所述功率晶体管管芯，且所述囊封剂材料的表面限定所述放大器模块的接触表面。接地端嵌入于所述囊封剂材料内。所述接地端具有耦合到所述散热结构的近端，以及在所述接触表面处暴露的远端。所述接地端经由所述散热结构电耦合到所述功率晶体管管芯的所述接地触点。
主权项：1.一种放大器模块，其特征在于，包括：模块基板，其具有安装表面；第一散热结构，其延伸穿过所述模块基板，其中所述第一散热结构具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面在所述模块基板的所述安装表面处暴露；第一功率晶体管管芯，其具有第一接地触点，其中所述第一接地触点耦合到所述第一散热结构的所述第一表面；囊封剂材料，其覆盖所述模块基板的所述安装表面和所述第一功率晶体管管芯，其中所述囊封剂材料的表面限定所述放大器模块的接触表面；以及第一内部接地端，其嵌入于所述囊封剂材料内，其中所述第一内部接地端具有连接到所述第一散热结构的近端，以及在所述接触表面处暴露的远端，且其中所述第一内部接地端经由所述第一散热结构电耦合到所述第一功率晶体管管芯的所述第一接地触点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 具有邻近于功率放大器管芯的接地端的放大器模块和系统
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