申请/专利权人：新唐科技股份有限公司

申请日：2023-04-11

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118231448A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78

优先权：["20221219 TW 111148661"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本申请提供一种半导体元件。一隔离区设置在具有第一导电类型的第一高压井区与第二高压井区之间，并具有第二导电类型。具有第二导电类型的一本体区形成在隔离区之上且设置在第一和第二高压井区之间。具有第一导电类型的一掺杂区形成在本体区之中。具有第一导电类型的第一和第二漏极源极区分别形成于第一和第二高压井区之中。一第一栅极结构覆盖本体区的一第一通道区与一第一漂移氧化区。一第二栅极结构覆盖本体区的一第二通道区与一第二漂移氧化区。第一栅极结构电性连接于第二栅极结构。第一和第二漂移氧化区是分离于本体区。

主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一基底；一第一高压井区，形成于所述基底之上，并具有一第一导电类型；一第二高压井区，形成于所述基底之上，并具有所述第一导电类型；一隔离区，形成于所述基底之上且设置在所述第一高压井区与所述第二高压井区之间，并具有一第二导电类型；一本体区，形成在所述隔离区之上且设置在所述第一高压井区与所述第二高压井区之间，并具有所述第二导电类型；一第一掺杂区，形成在所述本体区之中，并具有所述第一导电类型；一第一漏极源极区，形成于所述第一高压井区之中，并具有所述第一导电类型；一第一漂移氧化区，形成于所述第一高压井区之上且设置在所述第一漏极源极区与所述本体区之间，其中所述第一漂移氧化区是分离于所述本体区；一第一栅极结构，覆盖所述本体区的一第一通道区、所述第一高压井区与所述第一漂移氧化区；一第二漏极源极区，形成于所述第二高压井区之中，并具有所述第一导电类型；一第二漂移氧化区，形成于所述第二高压井区之上且设置在所述第二漏极源极区与所述本体区之间，其中所述第二漂移氧化区是分离于所述本体区；以及一第二栅极结构，覆盖所述本体区的一第二通道区、所述第二高压井区与所述第二漂移氧化区；其中所述第一栅极结构是电性连接于所述第二栅极结构；其中所述本体区的所述第一通道区是形成在所述第一掺杂区与所述第一高压井区之间，以及所述本体区的所述第二通道区是形成在所述第一掺杂区与所述第二高压井区之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新唐科技股份有限公司 半导体元件

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