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申请/专利权人：南昌航空大学
申请日：2023-12-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118218004A
主分类号：B01J27/04
分类号：B01J27/04;B01J35/39;B01J37/20;B01J37/16;C01B3/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了低温真空还原Cu沉积ZnIn2S4光催化产氢材料的制备方法，本发明使用了一种全新的非贵金属沉积方法，将氯化铜还原为单质Cu，并将其沉积在ZnIn2S4纳米片上，制备出Cu沉积的ZnIn2S4复合材料。本方法所制备样品的光催化产氢性能大幅度提高。
主权项：1.低温真空还原Cu沉积ZnIn2S4光催化产氢材料的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、将1mMZnCl2溶解在27mlDMF中并持续搅拌10min；S2、加入2mMInCl3并持续搅拌25min，之后在溶液中加入8mmolTAA并持续搅拌30min；S3、将混合溶液转移到50ml特氟隆内衬不锈钢高压釜中并在160℃下水热12h。待产物冷却至室温后，用去离子水和乙醇分别洗涤三次，最后将样品放置在60℃的真空干燥箱中干燥过夜。得到淡黄色的ZnIn2S4；S4、称取ZnIn2S4放入三口烧瓶中，加入30ml乙二醇，并持续通入氮气30min；S5、将氯化铜溶液Cucl2·2H2O滴入5ml乙二醇中，用注射器注入到三口烧瓶中；S6、将三口烧瓶放置于恒温加热磁力搅拌器中，在50℃下反应2h，反应过程中保持氮气氛围并不断搅拌；S7、反应结束待三口烧瓶冷却至室温后抽滤，抽滤过程中用无水乙醇洗涤，干燥得到Cu沉积的ZnIn2S4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌航空大学 低温真空还原Cu沉积ZnIn2S4光催化产氢材料的制备方法
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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