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申请/专利权人：长安大学
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118223099A
主分类号：C25D11/26
分类号：C25D11/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种钛合金表面生长的尺寸梯度二硫化钼氧化钛复合膜层及方法，所述方法将质量比为1:1.5～1.7的钼酸钠和硫化钠溶解在磷酸盐电解液中，得到混合溶液；将钛合金基体置于混合溶液中，通过单极脉冲电源进行如下工艺的微弧氧化处理：电压先由0V增加至230V后恒压处理4～5min，之后由230V增加至320V后恒压处理5～6min，最后由320V增加至420V后恒压处理8～9min；将所得的复合物冲洗后干燥，得到钛合金表面生长的尺寸梯度二硫化钼氧化钛复合膜层。本发明通过分段升压方式来调控膜层中不同阶段MoS2的持续生长，形成尺寸梯度结构纳米复合膜层以提高其大载荷下减磨性能。
主权项：1.一种钛合金表面生长尺寸梯度二硫化钼氧化钛复合膜层的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将质量比为1:1.5～1.7的钼酸钠和硫化钠溶解在磷酸盐电解液中，得到混合溶液；S2，将钛合金基体置于混合溶液中，通过单极脉冲电源进行如下工艺的微弧氧化处理：电压先由0V增加至230V后恒压处理4～5min，之后由230V增加至320V后恒压处理5～6min，最后由320V增加至420V后恒压处理8～9min；S3，将S2所得的复合物冲洗后干燥，得到钛合金表面生长的尺寸梯度二硫化钼氧化钛复合膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长安大学 一种钛合金表面生长的尺寸梯度二硫化钼/氧化钛复合膜层及方法
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