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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231400A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，创造性的提出双层埋式氧化物隔离层设计，将SCR主触发路径通路设置于深层的第一埋氧化层上，将辅助触发路径设置于表面的第二埋氧化层上，通过堆叠结构有效避免辅助触发路径造成的面积浪费，有效提高单位面积ESD能力；同时，深层设置的SCR主触发路径的泄放路径更深，电流往更低处走，能够显著提升器件的鲁棒性；并且，堆叠结构中辅助触发器件能够进行替换，有利于适用不同的应用场景；综上，本发明在不消耗额外面积的前提下通过堆叠结构对SCR器件进行辅助路径的优化设计，显著提高器件的单位面积ESD能力，并拥有更加良好的热效应以及鲁棒性。
主权项：1.一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，其特征在于，包括：P型衬底110；P型衬底110上开设有第一埋式氧化物隔离层100，第一埋式氧化物隔离层100内设置有邻接的第一N阱区220与第一P阱区101，第一N阱区220内设置有第一P型重掺杂有源区102与第二N型重掺杂有源区202，第一P阱区101内设置有第二P型重掺杂有源区103与第三N型重掺杂有源区203；第一N阱区220与第一P阱区101上跨接设置有第二埋式氧化物隔离层200，第二层埋式氧化物隔离200内设置有多个辅助触发器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件
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