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【发明公布】成像探测器系统_上海联影医疗科技股份有限公司_202180104146.9 

申请/专利权人:上海联影医疗科技股份有限公司

申请日:2021-11-24

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118234436A

主分类号:A61B6/03

分类号:A61B6/03;G01N23/04;G01T1/29;G01T1/24

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:探测器系统可以包括多个侧面入射型探测器模块200、300、400A、400B、400C、500、600、700、800、900。每个侧面入射型探测器模块200、300、400A、400B、400C、500、600、700、800、900包括:硅基底210、310、410、510、610、710、810、910,所述硅基底包括与每个所述侧面入射型探测器模块的第一面对应的正面和与每个所述侧面入射型探测器模块200、300、400A、400B、400C、500、600、700、800、900的第二面对应的背面;多个检测元件220、320、420、520、620、720、820、920,设置在所述硅基底210、310、410、510、610、710、810、910的所述正面上;背面电极330、430、530、630、730、830、930,设置在所述硅基底210、310、410、510、610、710、810、910的所述背面上;和或防散射结构440、450、540、640、760、770、940、950、970,设置在每个所述侧面入射型探测器模块200、300、400A、400B、400C、500、600、700、800、900的所述第一面和所述第二面中的至少一面,所述防散射结构440、450、540、640、760、770、940、950、970被配置为防止或减少发射到所述硅基底中的光子的散射。所述硅基底210、310、410、510、610、710、810、910、所述多个检测元件220、320、420、520、620、720、820、920、所述背面电极330、430、530、630、730、830、930和所述防散射结构440、450、540、640、760、770、940、950、970被配置为一个整体。

主权项:1.一种探测器系统,包括多个侧面入射型探测器模块,每个侧面入射型探测器模块包括:硅基底,所述硅基底包括与每个所述侧面入射型探测器模块的第一面对应的正面和与每个所述侧面入射型探测器模块的第二面对应的背面;多个检测元件,设置在所述硅基底的所述正面上;背面电极,设置在所述硅基底的所述背面上;以及防散射结构,设置在每个所述侧面入射型探测器模块的所述第一面和所述第二面中的至少一面,所述防散射结构被配置为防止或减少发射到所述硅基底中的光子的散射;其中所述硅基底、所述多个检测元件、所述背面电极和所述防散射结构被配置为一个整体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海联影医疗科技股份有限公司 成像探测器系统

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