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【发明公布】利用低压器件实现耐高压的输入缓冲器及工作方法_中科亿海微电子科技(苏州)有限公司_202410642190.0 

申请/专利权人:中科亿海微电子科技(苏州)有限公司

申请日:2024-05-23

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118232904A

主分类号:H03K19/003

分类号:H03K19/003;H03K19/0185

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:利用低压器件实现耐高压的输入缓冲器及工作方法,能够在高压环境中保证晶体管工作在安全的电压范围内,避免传统设计翻转点静态固定造成逻辑判断错误,提供良好的噪声裕度,有效地消除信号抖动,提高系统稳定性。堆叠单元通过堆叠原理降低晶体管的源漏电压;第一级电压钳位单元对堆叠单元的每个晶体管分别进行电压钳位,限制电压处在安全范围内;栅源电压调节单元对晶体管偏置,提高栅源电压;通过调整尺寸来调节第一级电路的迟滞电压;逻辑比较结果输入至电平转换电路,第二级电压钳位单元将高电平信号转换为芯片电压下的内部信号,使能控制单元在电路关断时利用使能信号阻止外部扰动对内部电路的影响,关断控制单元在电平转换期间关闭漏电通道。

主权项:1.利用低压器件实现耐高压的输入缓冲器,其特征在于:其包括作为第一级电路的耐高压迟滞比较电路和作为第二级电路的电平转换电路;耐高压迟滞比较电路包括堆叠单元、第一级电压钳位单元、栅源电压调节单元、迟滞调节单元;堆叠单元通过堆叠原理降低晶体管的源漏电压;第一级电压钳位单元对堆叠单元的每个晶体管分别进行电压钳位,限制电压处在安全范围内;栅源电压调节单元对晶体管分别用芯片高电源电压VDD_H和芯片低电源电压VDD_L进行偏置,同时对电压钳位后的堆叠单元提高栅源电压,增强电压上、下拉能力;通过调整迟滞调节单元的尺寸来调节第一级电路的迟滞电压;电平转换电路包括第二级电压钳位单元、使能控制单元、关断控制单元,逻辑比较结果输入至电平转换电路,第二级电压钳位单元将高电平信号转换为芯片电压VDD_H下的内部信号,使能控制单元在电路关断时利用使能信号阻止外部扰动对内部电路的影响,关断控制单元在电平转换期间关闭漏电通道。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中科亿海微电子科技(苏州)有限公司 利用低压器件实现耐高压的输入缓冲器及工作方法

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