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【发明公布】一类含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体及其制备方法和应用_华南理工大学_202410166014.4 

申请/专利权人:华南理工大学

申请日:2024-02-05

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118221729A

主分类号:C07F9/6521

分类号:C07F9/6521;C07F9/6506;C07F9/572;C07F9/53;C09K11/06;H10K85/60;H10K50/11;H10K50/12

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:本发明属于有机光电领域,公开了一类含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体及其制备方法和应用。所述的含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体的化学结构为以下通式中的一种,其中R1为H、中的一种;R2为碳原子数6~60的芳香族烃基、碳原子数3~60的芳香族杂环基中的一种。本发明中,含三苯基氧化磷单元的不对称有机半导体的不对称结构有利于提高热稳定性和平衡载流子迁移率,同时三苯基氧化磷单元可发挥主体材料作用避免荧光猝灭。此类含三苯基氧化磷单元的不对称有机半导体可作为双极性材料,通过蒸镀的方法制备具有简单器件结构的有机发光二极管的发光层。

主权项:1.一类含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体,其特征在于化学结构满足以下通式中的一种: 其中,R1为H、中的一种;R2为碳原子数6~60的芳香族烃基、碳原子数3~60的芳香族杂环基中的一种。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华南理工大学 一类含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体及其制备方法和应用

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