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申请/专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日：2021-08-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113628943B
主分类号：H01J1/148
分类号：H01J1/148;H01J9/04;H01J9/18;C01B35/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开
摘要：本发明公开了一种插拔式单晶硼化物阴极，包括：陶瓷体，陶瓷体上设置有两个通孔；两个电极杆，从陶瓷体的第一侧延伸穿过第二侧，制作电极杆的材料与陶瓷体具有大致相同的线膨胀系数；两个夹持机构，每个夹持机构包括与从第二侧伸出的电极杆螺纹连接的基部，以及从基部延伸的夹持臂；两个热解石墨块，设置在两个夹持臂之间；以及发射体，由单晶硼化物制成，两个热解石墨块利用夹持臂的夹持力夹紧发射体。
主权项：1.一种插拔式单晶硼化物阴极，其特征在于，包括：陶瓷体，所述陶瓷体上设置有两个通孔；两个电极杆，从所述陶瓷体的第一侧分别穿过所述通孔延伸到第二侧，制作所述电极杆的材料与所述陶瓷体具有大致相同的线膨胀系数，以防止在所述插拔式单晶硼化物阴极工作温度下所述电极杆由于与所述陶瓷体之间产生间隙而松动，其中所述电极杆的材料包括柯伐合金；两个夹持机构，每个所述夹持机构包括与从所述第二侧伸出的电极杆螺纹连接的基部，以及从所述基部延伸的夹持臂；两个热解石墨块，设置在两个所述夹持臂之间；以及发射体，由单晶硼化物制成，两个所述热解石墨块利用所述夹持臂的夹持力夹紧所述发射体；其中，所述陶瓷体上设有凹槽，所述夹持机构的基部至少部分地容纳在所述凹槽中，每个所述电极杆上形成有抵靠在所述陶瓷体的第一侧的凸缘，使得所述陶瓷体被夹持在所述基部和所述凸缘之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院空天信息创新研究院 插拔式单晶硼化物阴极及其制备方法、和电子器件
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