申请/专利权人：西北核技术研究所

申请日：2022-01-28

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN114518589B

主分类号：G01T1/24

分类号：G01T1/24;G01T1/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2022.06.07#实质审查的生效;2022.05.20#公开

摘要：本发明提供一种基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法，主要解决符合测量系统中放射源较厚时自吸收比较明显，导致气体正比探测器能量刻度无法正常开展的问题。本发明方法通过限制放射源在半导体探测器上的照射面积，使只有在气体正比探测器内沉积能量较大的射线可以到达半导体探测器产生符合事件。同时，在所有符合事件中只选择半导体探测器能量较高的部分事件，即自吸收最小的事件，从而避免自吸收对能量刻度的影响，达到提高能量测量准确性的目的。

主权项：1.一种基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、搭建符合测量系统，该符合测量系统能够同时测量气体正比探测器和半导体探测器的能谱并进行符合事件判断；步骤二、限制放射源在半导体探测器上的照射面积，使能产生符合事件的α射线在气体正比探测器中具有相同的射程；1.1在气体正比探测器的阴极箱上开设放射源孔，所述放射源孔在阴极箱侧壁的中心处；1.2将放射源设置在气体正比探测器的阴极箱外侧，放射源头部凸起放置在放射源孔内，同时，在阴极箱内侧放置带小孔的屏蔽层，屏蔽层的小孔中心与放射源孔中心的距离为H，H为放射源的半径与小孔半径之和的1.2～1.5倍，使放射源只能照射到半导体探测器中线一侧区域，从而限值放射源的照射区域；步骤三、半导体探测器能量刻度；3.1在真空条件下获取半导体探测器测量放射源放出的α射线能谱；3.2用脉冲发生器产生8～10个单能脉冲，通过单能脉冲幅度及ADC道址线性拟合测得ADC零点，采用ADC零点和α射线能谱中能量再次进行线性拟合完成半导体探测器能量刻度，得到拟合常数a1和b1，如公式1所示；Es＝a1+b1ch1其中，Es为半导体探测器沉积能量，ch为ADC道址；步骤四、气体正比探测器充3He气体，采用步骤一中的符合测量系统进行测量，得到气体正比探测器与半导体探测器探测的符合事件；步骤五、在步骤四得到的符合事件中选取在半导体探测器中沉积能量大于峰高能端一半处的n个符合事件，并对n个符合事件中半导体探测器的ADC道址进行平均，随后将半导体探测器的ADC道址平均值带入公式1，获取半导体探测器的沉积能量平均值Es′；步骤六、将n个符合事件中气体正比探测器的道址进行平均，得到气体正比探测器的道址平均值，该道址平均值即对应气体正比探测器沉积能量EG，此时完成气体正比探测器能量刻度；EG＝Ec-Es′其中，Ec为符合能量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北核技术研究所 基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD