申请/专利权人：东莞市佳源达科技有限公司

申请日：2021-11-15

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN113996593B

主分类号：B08B3/12

分类号：B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2022.03.04#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要：一种用于半导体表面清洁的超声波清洗装置，涉超声波清洗装置技术领域，解决现有超声波清洗装置清洗效果差的技术不足，技术方案包括：壳体，其内设有通过换能层上下隔离的换能腔和喷射腔，以及布液腔。喷射腔呈V型结构，其下部开口构成喷嘴。布液腔呈近倒V型结构，其较宽一侧连通有注液管道，其较窄一侧呈弧形上抛状结构并与喷射腔上部连通。换能层包括压电陶瓷片，通过射频线与超声波或兆声波发生器连接。本发明有益效果在于：利用布液腔对泵入的清洗液第一次加速并上抛至换能层底部，而后由压电陶瓷片带动换能层震动对清洗液进行第二次加速并使其向下剧烈震荡，最后由喷射腔对剧烈震荡的清洗液进行第三次加速后经喷嘴高速喷出，清洗效更果好。

主权项：1.一种用于半导体表面清洁的超声波清洗装置，包括有壳体（1），其特征在于：所述壳体（1）内纵向设有通过换能层（2）上下密封隔离的换能腔（3）和喷射腔（4），以及处于所述喷射腔（4）上部一侧并与之连通的布液腔（5）；喷射腔（4）呈上宽下窄的V型结构，其上部用于连通所述换能腔（3）的开口被所述的换能层（2）封堵，其下部的开口处于壳体（1）的底部，构成对应处于换能层（2）正下方的喷嘴（41）；布液腔（5）呈一侧宽一侧窄的近倒V型结构，其相对较宽的一侧上部连通有若干注液管道（6），用于向其容腔内泵入半导体清洗液，其相对较窄的一侧呈弧形上抛状结构并与喷射腔（4）上部连通，用于将半导体清洗液均匀地快速抛射到换能层（2）的底部；换能层（2）包括有至少一个纵向排列设置的压电陶瓷片（21），换能腔（3）内布设有若干分别连接于所述压电陶瓷片（21）与超声波或兆声波发生器之间的射频线（8），用于将所述超声波或兆声波发生器产生的高频交流电能输送至压电陶瓷片（21）以驱使其带动换能层（2）同频振动，并通过换能层（2）驱使半导体清洗液在喷射腔（4）内震荡并经所述的喷嘴（41）喷出，所述的壳体（1）内还纵向设有处于所述喷射腔（4）上部另外一侧并与之连通的缓冲腔（10），所述缓冲腔（10）与喷射腔（4）另外一侧壁连通处的底面开口位置低于所述布液腔（5）与喷射腔（4）侧壁连通处的开口位置，所述壳体（1）的一侧设有液位检测装置（11），所述的液位检测装置（11）包括有引流部（111）和光电传感器（112），引流部（111）内设有储液腔（113），所述的储液腔（113）通过一纵向设置的引流管道（114）与喷射腔（4）连通，所述的光电传感器（112）固设于引流部（111）上并与所述超声波或兆声波发生器的控制模块电性连接，其感测探头一端伸入储液腔（113）内，用于感测喷射腔（4）内是否存在半导体清洗液并向所述的控制模块发送液位感测信号。

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