申请/专利权人：国家超级计算无锡中心

申请日：2021-02-20

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN112865782B

主分类号：H03K19/0185

分类号：H03K19/0185;H03K19/003

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2021.06.15#实质审查的生效;2021.05.28#公开

摘要：本发明提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。

主权项：1.一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，其特征在于，包括第一输入端口、第二输入端口、第一电平移位支路、第二电平移位支路、高压偏置端口、RS触发器、驱动电路和输出端口；所述第一电平移位支路包括第一LDMOS晶体管、第四LDMOS晶体管、第一电压钳位电路、第四电压钳位电路、第一或门和第一滤波电路；所述第一输入端口连接所述第一LDMOS晶体管的栅极、所述第四LDMOS晶体管的栅极；所述第一LDMOS晶体管的源极、所述第四LDMOS晶体管的源极均接地；所述第一LDMOS晶体管的漏极通过所述第一电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第四LDMOS晶体管的漏极通过所述第四电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第一LDMOS晶体管的漏极、所述第四LDMOS晶体管的漏极分别连接所述第一或门的两个输入端；所述第一或门的输出端连接所述第一滤波电路的输入端；所述第二电平移位支路包括第二LDMOS晶体管、第三LDMOS晶体管、第二电压钳位电路、第三电压钳位电路、第二或门和第二滤波电路；所述第二输入端口连接所述第二LDMOS晶体管的栅极、所述第三LDMOS晶体管的栅极；所述第二LDMOS晶体管的源极、所述第三LDMOS晶体管的源极均接地；所述第二LDMOS晶体管的漏极通过所述第二电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第三LDMOS晶体管的漏极通过所述第三电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第二LDMOS晶体管的漏极、所述第三LDMOS晶体管的漏极分别连接所述第二或门的两个输入端；所述第二或门的输出端连接所述第二滤波电路的输入端；所述第一滤波电路的输出端、所述第二滤波电路的输出端分别所述RS触发器的一个输入端连接；所述RS触发器的输出端与所述驱动电路的输入端连接；所述驱动电路的输出端与所述输出端口连接；所述第一电压钳位电路、所述第二电压钳位电路、所述第三电压钳位电路和所述第四电压钳位电路均由电压钳位电路构成；所述电压钳位电路包括电阻和若干齐纳二极管；若干所述齐纳二极管同向串联，并与所述电阻并联；所述电阻与所述齐纳二极管的阳极连接点为所述电压钳位电路的输入端；所述电阻与所述齐纳二极管的阴极连接点为所述电压钳位电路的输出端；所述第一电压钳位电路的输入端与所述第一LDMOS晶体管的漏极连接、所述第一电压钳位电路的输出端与所述高压偏置端口连接；所述第二电压钳位电路的输入端与所述第二LDMOS晶体管的漏极连接、所述第二电压钳位电路的输出端与所述高压偏置端口连接；所述第三电压钳位电路的输入端与所述第三LDMOS晶体管的漏极连接、所述第三电压钳位电路的输出端与所述高压偏置端口连接；所述第四电压钳位电路的输入端与所述第四LDMOS晶体管的漏极连接、所述第四电压钳位电路的输出端与所述高压偏置端口连接；还包括高压浮动地端口；所述第一或门的电源端、所述第二或门的电源端、所述第一滤波电路的电源端、所述第二滤波电路的电源端、所述RS触发器的电源端、所述驱动电路的电源端均连接所述高压偏置端口；所述第一或门的地端、所述第二或门的地端、所述第一滤波电路的地端、所述第二滤波电路的地端、所述RS触发器的地端、所述驱动电路的地端均与所述高压浮动地端口连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国家超级计算无锡中心 一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路

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