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申请/专利权人：深圳市高特微电子有限公司
申请日：2023-11-09
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221201161U
主分类号：H01L23/495
分类号：H01L23/495;H01L23/31;H01L23/60;H01L21/56;H01L21/60
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本实用新型公开了一种微型高抗静电超低容值静电防护芯片封装结构，它涉及静电防护阵列芯片技术领域。包括金属引线框架，所述的金属引线框架上设置有银胶和静电防护芯片，所述的其中一颗静电防护芯片上设置有金属球，所述的金属球与另一颗静电防护芯片通过金属导线电性连接，所述的金属引线框架、银胶、静电防护芯片、金属球及金属导线外部包裹有环氧树脂模塑料。本实用新型能够配合物联网设备无线通信模块轻薄小巧、具备高抗静电能力、超低寄生电容的需求。
主权项：1.一种微型高抗静电超低容值静电防护芯片封装结构，其特征在于，包括金属引线框架1，所述的金属引线框架1上设置有银胶2和静电防护芯片3，其中一颗静电防护芯片3上设置有金属球4，所述的金属球4与另一颗静电防护芯片3通过金属导线5电性连接，所述的金属引线框架1、银胶2、静电防护芯片3、金属球4及金属导线5外部包裹有环氧树脂模塑料6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市高特微电子有限公司 一种微型高抗静电超低容值静电防护芯片封装结构
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