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申请/专利权人：上海谭慕半导体科技有限公司
申请日：2023-11-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221200307U
主分类号：G05F1/56
分类号：G05F1/56
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本实用新型公开了一种LDO稳压器，通过本申请方案中的第二通道晶体管以及电流路径控制部，可以解决LDO稳压器通道晶体管中的功耗及由此引起的IC温度上升导致在高电压输入和高温环境下无法驱动大电流的问题。另外也无需花费导热性好的环氧树脂或使用散热板等散热成本，有效降低了LDO稳压器结构设计难度，有效降低了成本。本申请的方案相当于提供一种改善散热的具有宽输入范围的LDO稳压器，根据输入电压将部分耗散功率分散至IC外部，可以通过相对较少的费用增加LDO稳压器的驱动电流。
主权项：1.一种LDO稳压器，其特征在于，包括：第一通道晶体管，设置在所述LDO稳压器的输入端子和第一输出端子之间；第二通道晶体管，设置在所述LDO稳压器的输入端子和第二输出端子之间，并与所述第一通道晶体管并联连接；电流路径控制部，与所述LDO稳压器的输入端子连接，用于观测所述LDO稳压器的输入端子输入的电压大小；误差放大器，所述误差放大器的输入端与所述电流路径控制部连接，所述误差放大器的两个输出端分别与所述第一通道晶体管以及所述第二通道晶体管连接，用于调整流过所述第一通道晶体管以及所述第二通道晶体管的电流大小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海谭慕半导体科技有限公司 一种LDO稳压器
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