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申请/专利权人：江苏谷泰微电子有限公司
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249811A
主分类号：H03M1/34
分类号：H03M1/34;H03M1/06;H03M1/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种零失调高速比较器电路，包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8，所述M1、M2的源极并接后串联有MOS管Mtai11,所述M1、M2的漏极分别电性连接有MOS管ML3、ML4，所述MOS管ML3、ML4的漏极分别电性连接有MOS管ML1、ML2，所述M3、M4分别跨接在ML1、ML2的两侧，所述M7、M8的的源极分别外接有MOS管Mtai12‑1、Mtai12‑2，所述M7、M8的漏极分别和M5、M6的漏极电性连接，所述M7的漏极和M5的源极之间跨接有MOS管MS1，与传统比较器相比，本发明在第一级中引入正反馈负载提高第一级的增益，提高比较器的速度，而且第二级的尾电流管采用第一级输出控制，取消反相时钟信号，增加级间输入增益，进一步提高比较器的速度。
主权项：1.一种零失调高速比较器电路，包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8，其特征在于，所述M1、M2的源极并接后串联有MOS管Mtai11,所述M1、M2的漏极分别电性连接有MOS管ML3、ML4，所述MOS管ML3、ML4的漏极分别电性连接有MOS管ML1、ML2，所述M3、M4分别跨接在ML1、ML2的两侧，所述M7、M8的的源极分别外接有MOS管Mtai12-1、Mtai12-2，所述M7、M8的漏极分别和M5、M6的漏极电性连接，所述M7的漏极和M5的源极之间跨接有MOS管MS1，所述M8的漏极和M6的源极之间跨接有MS2，所述MOS管Mtai12-1的栅极与M3的漏极之间并接后与MS1的漏极串接，所述MOS管Mtai12-2的漏极与ML2并接后与MS2的漏极串接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏谷泰微电子有限公司 一种零失调高速比较器电路
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