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申请/专利权人：芯峰科技(广州)有限公司;芯峰电子科技(广州)有限公司;芯峰科技(嘉兴)有限公司
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249304A
主分类号：H02H9/04
分类号：H02H9/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种纳米工艺低漏电静电放电箝位电路，包括电源管脚、接地管脚、第一控制网络、第二控制网络、第三控制网络、反相器、触发电路和箝位晶闸管；反相器包括依次连接的第二NMOS晶体管和第三PMOS晶体管，触发电路连接于所述第二NMOS晶体管和所述第三PMOS晶体管的交点，箝位晶闸管连接所述触发电路；所述第一控制网络与所述第二控制网络连接，所述第一控制网络用于感应静电放电事件，并为第二控制网络提供偏压；第二控制网络与所述第二NMOS晶体管的栅极连接，为其提供偏压；所述第三控制网络与所述第三PMOS晶体管的栅极连接，所述第三控制网络用于感应静电放电事件，并为第三PMOS晶体管提供偏压。本发明可以减小静态漏电。
主权项：1.一种纳米工艺低漏电静电放电箝位电路，其特征在于，包括电源管脚、接地管脚、第一控制网络、第二控制网络、第三控制网络、反相器、触发电路和箝位晶闸管；所述电源管脚用于连接电源以提供电源电压VDD；所述接地管脚用于提供地电平VSS；所述反相器包括依次连接的第二NMOS晶体管和第三PMOS晶体管，所述触发电路连接于所述第二NMOS晶体管和所述第三PMOS晶体管的交点，所述箝位晶闸管连接所述触发电路；所述第一控制网络与所述第二控制网络连接，所述第一控制网络用于感应静电放电事件，并在正常工作时为第二控制网络提供偏压；所述第二控制网络与所述第二NMOS晶体管的栅极连接，所述第二控制网络用于为所述第二NMOS晶体管提供偏压；所述第三控制网络与所述第三PMOS晶体管的栅极连接，所述第三控制网络用于感应静电放电事件，并在正常工作时为第三PMOS晶体管提供偏压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯峰科技(广州)有限公司;芯峰电子科技(广州)有限公司;芯峰科技(嘉兴)有限公司 纳米工艺低漏电静电放电箝位电路
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