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申请/专利权人：上海交通大学;上海东贝真空设备有限公司
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241308A
主分类号：C30B25/16
分类号：C30B25/16;C30B25/20;C30B29/04;C30B25/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种单晶金刚石毛坯的批量化快速生长方法，包括以下步骤：将单晶金刚石籽晶进行机械研磨抛光，对抛光后的单晶金刚石进行丙酮和去离子水超声清洗并使用氮气吹干，采用等离子体刻蚀单晶金刚石表面。然后，将单晶金刚石籽晶放入HFCVD反应腔中进行外延生长，未掺杂单晶金刚石毛坯生长过程采用氢气和甲烷为反应前驱体，硼掺杂单晶金刚石毛坯生长过程采用氢气和硼掺杂丙酮为前驱体，可在不同尺寸的单晶金刚石籽晶表面均匀外延生长单晶金刚石。本发明能够获得生长尺寸可控、可通过硼掺杂浓度调节生长速率、单晶金刚石籽晶尺寸自由调节且单批次生长数量多的单晶金刚石毛坯，显著降低生产成本，促进单晶金刚石的工业化应用。
主权项：1.一种单晶金刚石毛坯的批量化快速生长方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、将单晶金刚石籽晶进行等离子体刻蚀；S2、将刻蚀后的单晶金刚石籽晶进行单晶金刚石批量化生长，得到单晶金刚石毛坯；所述单晶金刚石批量化生长采用HFCVD生长，单晶金刚石批量化生长中单晶金刚石籽晶的生长气压为5500-7000Pa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学;上海东贝真空设备有限公司 一种单晶金刚石毛坯的批量化快速生长方法
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