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申请/专利权人：上海大学
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244421A
主分类号：G02B6/13
分类号：G02B6/13;G02B6/136;G02B6/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及异质集成和光电共封装领域，特别是涉及一种低损耗光硅通孔的快速制造方法。该低损耗光硅通孔的快速制造方法包括以下步骤：在真空负压作用下，将包层材料吸入通孔内部，固化所述包层材料；之后在真空负压作用下，将芯层材料吸入通孔内部，固化所述芯层材料，实现低损耗光硅通孔的快速制备；所述包层材料与所述芯层材料的折射率不同。本发明公开了一种用于光芯片互联的低损耗波导型光硅通孔的快速制造方法。本发明波导型光硅通孔相比于空气型光硅通孔，具备更小的传输损耗。本发明中包层和芯层材料在真空负压的帮助下，可以快速地流入通孔中形成包层和芯层，降低了光硅通孔的加工难度。
主权项：1.一种低损耗光硅通孔的快速制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在真空负压作用下，将包层材料吸入通孔内部，固化所述包层材料；之后在真空负压作用下，将芯层材料吸入通孔内部，固化所述芯层材料，实现低损耗光硅通孔的快速制备；所述包层材料与所述芯层材料的折射率不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种低损耗光硅通孔的快速制造方法
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