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申请/专利权人：绵阳新能智造科技有限公司
申请日：2024-04-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118039460B
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明公开一种硅晶片增厚的方法，属于增材制造技术领域，在精磨后的硅晶片的一个面上逐层沉积纳米银墨水层和介电墨水层并固化，所述介电墨水层为网格状，所述纳米银墨水层为点状，纳米银墨水点被包覆在介电墨水网格内。本发明方法为硅晶片厚度调整提供了一种高效、精确的解决方案。本发明可以实现微米级别的厚度控制，满足高性能硅晶片的需求，精确度更高。传统手工粘接的产品合格率只能达到70%，而本发明方法可以确保产品合格率达到98%以上。
主权项：1.一种硅晶片增厚的方法，其特征在于，在精磨后的硅晶片的一个面上逐层沉积纳米银墨水层和介电墨水层并固化，所述介电墨水层为网格状，所述纳米银墨水层为点状，纳米银点的点径0.108mm，点距0.108mm；纳米银墨水点被包覆在介电墨水网格内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 绵阳新能智造科技有限公司 一种硅晶片增厚的方法
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