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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2023-11-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248679A
主分类号：H01L23/60
分类号：H01L23/60;H01L27/02;H01L21/822
优先权：["20221222 US 18/086938"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：用于静电放电保护器件的结构及其形成方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱和第二阱。第一阱和第二阱具有第一导电类型。该结构还包括位于半导体衬底中的第三阱和第四阱。第三阱和第四阱具有第二导电类型，第三阱包括与第一阱重叠的一部分，并且，第四阱包括与第二阱重叠的一部分。
主权项：1.一种用于静电放电保护器件的结构，所述结构包括：半导体衬底；第一阱，其位于所述半导体衬底中，所述第一阱具有第一导电类型；第二阱，其位于所述半导体衬底中，所述第二阱具有所述第一导电类型；第三阱，其位于所述半导体衬底中，所述第三阱具有第二导电类型，并且，所述第三阱包括与所述第一阱重叠的一部分；以及第四阱，其位于所述半导体衬底中，所述第四阱具有所述第二导电类型，并且，所述第四阱包括与所述第二阱重叠的一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 静电放电保护器件
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