龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司
申请日：2024-04-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118099161B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L27/12;H01L21/84
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明涉及电子科学与技术领域，具体为一种维持电压可调的多端口ESD保护器件，包括SOI衬底，所述SOI衬底由N型衬底层、中间埋氧层及顶部N型半导体层叠加而成；所述顶部N型半导体层上形成有三个结构单元，分别为正偏二极管单元、反偏二极管单元和NPN三极管单元，其中NPN三极管单元包括设置于顶部N型半导体层上的P型阱区以及设置在P型阱区上的P+扩散1区、P+扩散2区和N+扩散区，P+扩散2区的注入位置或者注入浓度可根据需要调整，且P+扩散2区上还设置有N+扩散区。同时公开了该ESD保护器件的制作方法，以实现本发明的有益效果：寄生电容减小了20%，SOI的引入解决了NPN的寄生问题；维持电压可调功能是通过P+扩散2区实现，避免了高温推结过程，减少了制造过程中的热预算；可以实现多端口的ESD保护，ESD能力大于30KV，820µs下允许通过的峰值电流达到13A，为高速通信接口的ESD保护提供一种解决方案。
主权项：1.一种维持电压可调的多端口ESD保护器件，其特征在于：包括SOI衬底，所述SOI衬底由N型衬底层、中间埋氧层及顶部N型半导体层叠加而成；所述顶部N型半导体层上形成有三个结构单元，分别为正偏二极管单元、反偏二极管单元和NPN三极管单元，其中NPN三极管单元包括设置于顶部N型半导体层上的P型阱区以及设置在P型阱区上的P+扩散1区、P+扩散2区和N+扩散区，P+扩散2区的注入位置或者注入浓度可根据需要调整，且P+扩散2区上还设置有N+扩散区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司 一种维持电压可调的多端口ESD保护器件及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号