申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2020-10-30

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN112117269B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L21/8228

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开

摘要：本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底80；生成于半导体衬底的N阱60和P阱70；高浓度P型掺杂20、高浓度N型掺杂28置于N阱60上部，高浓度N型掺杂24、高浓度P型掺杂26置于P阱70上部，高浓度P型掺杂22置于N阱60与P阱70分界处上方，高浓度P型掺杂20、高浓度N型掺杂28间为N阱60的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂28与高浓度P型掺杂22之间为N阱60的一部分，在高浓度P型掺杂20下方设置N型轻掺杂30，降低寄生PNP三极管的电流增益。

主权项：1.一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构，其特征在于，该ESD保护结构包括：基体（80）；生成于所述基体中的N阱（60）和P阱（70）；第一高浓度P型掺杂（20）、第二高浓度N型掺杂（28）置于N阱（60）上部，第一高浓度P型掺杂（20）、N阱（60）以及P阱（70）构成寄生PNP三极管结构，第一高浓度N型掺杂（24）、第三高浓度P型掺杂（26）置于P阱（70）上部，N阱（60）、基体（80）P阱70与第一高浓度N型掺杂（24）构成寄生NPN三极管结构，第二高浓度P型掺杂（22）置于N阱（60）与P阱（70）分界处上方,所述第一高浓度P型掺杂（20）、第二高浓度N型掺杂（28）间用宽度为S的浅沟道隔离层（10）隔离，所述第二高浓度N型掺杂（28）与第二高浓度P型掺杂（22）之间为N阱（60）的一部分，所述第一高浓度P型掺杂（20）左侧放置浅沟道隔离层（10），所述第二高浓度P型掺杂（22）、第一高浓度N型掺杂（24）、第三高浓度P型掺杂（26）间用浅沟道隔离层（10）隔离，所述第三高浓度P型掺杂（26）右侧放置浅沟道隔离层（10），利用金属连接所述第一高浓度P型掺杂（20）、第二高浓度N型掺杂（28）构成该ESD保护结构的阳极A，利用金属连接所述第一高浓度N型掺杂（24）、第三高浓度P型掺杂（26）构成该ESD保护结构的阴极K；在所述第一高浓度P型掺杂（20）、第二高浓度N型掺杂（28）、第二高浓度P型掺杂（22）、第一高浓度N型掺杂（24）、第三高浓度P型掺杂（26）下方分别设置第一N型轻掺杂（30）、第三N型轻掺杂（38）、第一P型轻掺杂（32）、第二N型轻掺杂（34）、第二P型轻掺杂（36）。

全文数据：

权利要求：

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