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申请/专利权人：国硅集成电路技术(无锡)有限公司
申请日：2023-11-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221202139U
主分类号：H02H9/00
分类号：H02H9/00;H02H11/00;H02H9/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本申请公开了一种双向ESD保护电路，属于集成电路技术领域。所述双向ESD保护电路包括：电阻、电容和若干MOS管。该结构具有双向ESD保护功能，当电路的电源到地发生静电时电源电压高于地，该电路能够快速对静电进行释放，从而保证电路不会被损坏；当电路的地到电源发生静电时地电压高于电源电压，该电路也会快速对静电进行释放，保护电路器件和结构。同时，不管电路的电源和地正接还是反接，在静态条件下电路都不会导通，从而保证电路在长时间反接条件下，电路不会损坏。因此，本申请的双向ESD保护电路同时具有双向ESD能力和反接保护功能。
主权项：1.一种双向ESD保护电路，包括电阻、电容和NMOS管，其特征在于，电阻包括R1、R2；电容包括C1、C2；NMOS管包括N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7；NMOS管N1的栅端连接VCC；NMOS管N1的栅端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N2的栅端、NMOS管N3的漏端、NMOS管N5的漏端和NMOS管N7的栅端连接；NMOS管N1的源端连接电容C1的一端；NMOS管N1的衬端与NMOS管N2的衬端、NMOS管N3的衬端、NMOS管N4的衬端、NMOS管N5的衬端、NMOS管N6的源端、衬端和NMOS管N7的源端、衬端均连接；电容C1的另一端与电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C2的一端和NMOS管N5的栅端连接；NMOS管N2的漏端连接电阻R1的另一端；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N2的源端与NMOS管N3的栅端、NMOS管N4的栅端、NMOS管N4的源端、NMOS管N5的源端、NMOS管N6的栅端和NMOS管N7的漏端连接；NMOS管N3的源端连接电阻R2的另一端；NMOS管N4的漏端连接电容C2的另一端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国硅集成电路技术(无锡)有限公司 一种双向ESD保护电路
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