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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-03-31
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113471192B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：["20200331 US 63/002,562","20210112 US 17/147,253"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.01#公开
摘要：静电放电ESD保护电路包括第一二极管、第二二极管和ESD钳位电路。第一二极管在半导体晶圆中，并且耦接到输入输出IO焊盘。第二二极管在半导体晶圆中，并且耦接到第一二极管和IO焊盘。ESD钳位电路在半导体晶圆中，并且耦接到第一二极管和第二二极管。ESD钳位电路在半导体晶圆中包括第一信号抽头区域。第一信号抽头区域耦接到第一电压源。第一二极管耦接到ESD钳位电路并被配置为与ESD钳位电路共享第一信号抽头区域。本发明的实施例还提供了一种操作ESD保护电路的方法。
主权项：1.一种静电放电保护电路，包括：第一二极管，位于半导体晶圆中，并且耦接到输入输出焊盘；第二二极管，位于所述半导体晶圆中，并且耦接到所述第一二极管和所述输入输出焊盘；以及静电放电钳位电路，位于所述半导体晶圆中，耦接到所述第一二极管和所述第二二极管，所述静电放电钳位电路包括所述半导体晶圆中的第一信号抽头区域，所述第一信号抽头区域耦接到第一电压源，所述第一二极管耦接到所述静电放电钳位电路并且被配置为与所述静电放电钳位电路共享所述第一信号抽头区域；所述第一二极管包括：第一阳极，位于所述半导体晶圆中；第一阴极，位于所述半导体晶圆中，在所述第一阳极上方并且耦接到所述第一信号抽头区域；和第二阴极，位于所述半导体晶圆中，在所述第一阳极上方并且耦接到所述第一信号抽头区域和所述第一阴极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 静电放电（ESD）保护电路及其操作方法
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