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申请/专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
摘要：本发明属于集成电路领域，涉及一种高压ESD版图结构，包括：由浅沟槽划分的高压NMOS管区域和二极管区域；高压NMOS管区域包括高压NMOS管和高压识别层；高压识别层放置在划分高压NMOS管区域的浅沟槽内且与此浅沟槽尺寸同比例；高压NMOS管包括浅N型阱识别层，浅N型阱识别层至少覆盖高压NMOS管漏极的一部分；二极管区域中，至少两组二极管正负极间隔排布；高压NMOS管栅极和源极与二极管正极连接，并接高压ESD版图结构输出端；高压NMOS管漏极与二极管负极连接，并接高压ESD版图结构输入端。本发明能够减小芯片版图面积，提升静电防护性能，改善ESD结构占整个版图的空间占用率，降低了芯片制造成本。
主权项：1.一种高压ESD版图结构，其特征在于，包括由浅沟槽划分的高压NMOS管区域和二极管区域；所述高压NMOS管区域包括高压NMOS管和高压识别层；所述高压识别层放置在划分高压NMOS管区域的浅沟槽内，所述高压识别层与所述划分高压NMOS管区域的浅沟槽尺寸同比例；所述高压NMOS管包括浅N型阱识别层，所述浅N型阱识别层至少覆盖所述高压NMOS管漏极的一部分；所述二极管区域中，至少两组二极管正负极间隔排布；高压NMOS管栅极和源极与所述二极管区域中正负极间隔排布的二极管正极连接，并接所述高压ESD版图结构输出端；高压NMOS管漏极与所述二极管区域中正负极间隔排布的二极管负极连接，并接所述高压ESD版图结构输入端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京时代民芯科技有限公司 北京微电子技术研究所 一种高压ESD版图结构
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