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申请/专利权人：哈尔滨理工大学
申请日：2024-03-09
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118237051A
主分类号：B01J27/057
分类号：B01J27/057;B01J35/39;B01J37/08;C01B3/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种CdSeCo3O4复合光催化材料及其制备方法，本发明涉及光催化复合材料领域。本发明解决了单纯的CdSe禁带宽度窄，光生载流子复合速率快，导致光催化产氢性能不高以及稳定性不高的技术问题。方法：一、通过溶剂热法和马弗炉煅烧制备绣花球状Co3O4；二、通过溶剂热法在Co3O4表面生长CdSe。本方法首次合成了CdSeCo3O4二元复合材料，Co3O4是很好的光催化助催化剂，CdSe与Co3O4之间构成了异质结，Co3O4可以有效的解决CdSe电子和空穴结合的问题，大大提高了CdSe的产氢性能。本发明用于制备复合光催化材料。
主权项：1.一种CdSeCo3O4复合光催化材料及其制备方法，其特征在于该方法具体以下步骤进行：步骤S1、向30～50mL乙二醇溶液中加入0.3～0.6克CoCH3COO2·4H20和0.01～0.05克聚乙烯吡咯烷酮，搅拌直至颗粒溶解后转移至高压釜中并保持160～200℃下10～13小时。反应结束后，待反应釜冷却至室温，用去离子水和乙醇离心洗涤数次，然后在真空干燥箱中干燥过夜；步骤S2、最后马弗炉370～470℃煅烧1.5～3小时，获得绣花球状Co3O4；步骤S3、将0.005～0.08g硒粉和0.03～0.3g半五水氯化镉加入15～20mLDETA溶剂中，不断搅拌中滴加10～15mL水合肼，超声至完全溶解，得到CdSe前驱溶液；步骤S4、将S2制备的0.05～0.2gCo3O4溶解到3～10mL水溶液中，然后加入到CdSe前驱溶液中，得到的溶液转移至内衬为聚四氟乙烯的反应釜中，并在80～120℃下保持10～15小时，冷却至室温后，用去离子水洗涤数次，离心机转速为8000rmin～10000rmin，最后进行冷冻干燥，得到CdSeCo3O4复合光催化材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨理工大学 一种CdSe/Co3O4复合光催化材料及其制备方法
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