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一种合成PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ(100)薄膜的方法 

申请/专利权人:吉林大学

申请日:2024-04-01

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118256997A

主分类号:C30B29/22

分类号:C30B29/22;C30B23/06;C30B33/04;C25B11/052;C25B11/077;C25B1/04

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明公开了一种合成PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ100薄膜的方法。本发明中,通过Ⅰ脉冲激光沉积法在铝酸镧LaAlO3,LAO100基底上外延生长PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ薄膜;Ⅱ用不同电压30kV和16kV的离子束对薄膜进行表面处理;Ⅲ将本发明处理后的PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ薄膜制备成工作电极,运用电化学工作站CHI660E进行电催化析氧反应Oxygenevolutionreaction,OER的性能测试,根据性能分析结果证实了聚焦离子束处理可作为有效手段提升薄膜材料的OER性能。

主权项:1.一种合成PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ100薄膜的方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:S1:使用高温固相法合成的相应化学计量比的直径1英寸的陶瓷靶材,运用脉冲激光沉积的方法在取向为100的铝酸镧基片上外延生长PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δPBSCF薄膜;S2:将生长的三片PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ100薄膜进行不同电压的离子束进行表面处理用作对比实验;其中一片不进行离子束处理,为原始薄膜,记为PBSCF-pristine;另外两片薄膜分别以电压30kV电流0.23nA和电压16kV电流0.22nA的条件对其表面进行扫描辐照处理,分别记为PBSCF-30kV和PBSCF-16kV。

全文数据:

权利要求:

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