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申请/专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要：本发明涉及半导体光电探测领域，具体涉及一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法，制备方法包括制备晶体管的同质结时，对衬底进行加热，在氩氧混合气体的氛围中于衬底上沉积非晶氧化镓富氧层薄膜作为同质结底层；在室温、纯氩气体的氛围中于同质结底层上沉积非晶氧化镓贫氧层薄膜作为同质结顶层，富氧层的氧空位浓度低于贫氧层，同质结顶层的厚度占整个同质结厚度的30％以下；本发明方案制备的晶体管能够大幅抑制暗电流和提升光电流，进而极大地提升器件的探测灵敏度，并且本发明的晶体管有助于利用脉冲栅压对器件进行快速恢复，另外本发明工艺简单，无须引入氧化镓以外的其他半导体材料。
主权项：1.一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1：使用p+-SiSiO2作为晶体管的衬底；步骤2：在衬底上沉积非晶氧化镓富氧层薄膜层作为同质结底层；步骤3：在同质结底层上沉积非晶氧化镓贫氧层薄膜层作为同质结顶层，富氧层的氧空位浓度低于贫氧层；步骤4：利用光刻技术，在同质结顶层上制作叉指电极；步骤5：利用电子束蒸发技术，在同质结顶层上制备漏极电极和源极电极；步骤6：对电极进行退火处理；其特征在于：上述步骤2和步骤3分别制备的同质结底层与同质结顶层的厚度比大于7：3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法
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