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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2023-08-23
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118250991A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221222 KR 10-2022-0181643"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种半导体集成电路器件，其包括半导体衬底、有源区以及字线。有源区由形成在半导体衬底中的隔离区限定。有源区包括至少一个接触区。字线包括主栅极和旁通栅极。主栅极被布置在有源区中。旁通栅极位设成远离主栅极。旁通栅极位处于隔离区中。接触区被布置在主栅极的一侧处。主栅极的侧壁包括：被配置为围绕接触区的第一凹陷部分。第一凹陷部分可以与接触区间隔开第一距离。
主权项：1.一种半导体集成电路器件，所述半导体集成电路器件包括：半导体衬底；隔离区；有源区，所述有源区由所述半导体衬底中的所述隔离区限定，所述有源区包括至少一个接触区；以及字线，所述字线包括主栅极和旁通栅极，所述主栅极形成在所述有源区上，以及所述旁通栅极位设成远离所述主栅极并且位处于所述隔离区中，其中，所述接触区位处于所述主栅极的一侧处，以及所述主栅极的侧壁包括第一凹陷部分，所述第一凹陷部分围绕所述接触区，并且保持所述主栅极的所述侧壁与所述接触区之间的第一距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括具有可变宽度的字线的半导体集成电路器件
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