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申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日：2023-12-08
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249795A
主分类号：H03K17/687
分类号：H03K17/687;H02M1/00
优先权：["20230420 US 18/137,116","20221222 CN PCT/CN2022/141096"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本公开涉及电源控制系统。在示例中，一种用于将至少第一电源电压可切换地路由到输出电压供应节点的电源控制系统可以包括第一复合开关电路。第一复合开关电路可以包括第一场效应晶体管FET，其中第一FET的漏极可以连接到第一电源电压。第一复合开关电路还可以包括第二FET，其中所述第二FET的源极可以连接到所述第一FET的漏极，其中所述第二FET的漏极可以连接到所述输出电压供应节点，其中所述第一FET的栅极和所述第二FET的栅极可以连接在一起以形成第一共享源极节点。电源控制系统还可以包括第一电压驱动电路，其可以驱动“导通”栅极到源极电压电平。
主权项：1.一种用于将至少第一电源电压可切换地路由到输出电压供应节点的电源控制系统，该系统包括：第一复合开关电路，包括：第一场效应晶体管FET，其中所述第一FET的漏极连接到所述第一电源电压；和第二FET，其中所述第二FET的源极连接到所述第一FET的源极，其中所述第二FET的漏极连接到所述输出电压供应节点，其中所述第一FET的栅极和所述第二FET的栅连接在一起以形成第一共享源极节点；第一电压驱动电路，用于当所述第一复合开关置于“导通”状态时，将所述第一复合开关的“导通”栅极到源极电压电平驱动到高于所述第一FET和所述第二FET的导通栅极到源极电压；和第一自举电容器，被配置为当所述第一复合开关置于“断开”状态时，被预充电到第二电源电压，并且被配置为当所述第一复合开关置于“导通”状态时向所述第一电压驱动电路提供作为“导通”栅极到源极电压电平的第二电源电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 电源控制系统
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