龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：湖南工商大学
申请日：2024-01-15
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251114A
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01;H10B61/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01R33/09
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明属于自旋电子学技术领域，具体公开了一种C60Co纳米复合巨磁阻器件及其制备方法，C60Co纳米复合巨磁阻器件从下往上依次包括衬底、两个金属电极和C60Co纳米复合薄膜，两个金属电极在同一水平面上且之间设有沟道，C60Co纳米复合薄膜连接所述两个金属电极并覆盖所述沟槽。本发明通过调节Co纳米颗粒的体积分数制备出横向结构的C60Co纳米复合巨磁阻器件，在10K低温下，呈现出8670000％的巨大磁电阻性能。本发明有效解决了传统垂直有机自旋器件中顶电极制备方法中的界面扩散及磁电阻比值低的问题；制备工艺简单，原材料价格便宜，可应用于磁传感器及多阻态非易失磁存储。
主权项：1.一种C60Co纳米复合巨磁阻器件，其特征在于，所述C60Co纳米复合巨磁阻器件为横向结构，其从下往上依次包括衬底、两个金属电极和C60Co纳米复合薄膜；所述C60Co纳米复合薄膜为纳米金属Co颗粒随机分布于有机半导体C60基质中构成的复合薄膜材料；所述两个金属电极在同一水平面上且之间设有沟道，所述C60Co纳米复合薄膜连接所述两个金属电极并覆盖所述沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南工商大学 一种C60/Co纳米复合巨磁阻器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号