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申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118239476A
主分类号：C01B32/159
分类号：C01B32/159;C01B32/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及碳纳米管生产技术领域，公开了一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法。现有技术中，以化学气相沉积法制备碳纳米管，难以制备得到单壁碳纳米管，得到的产物中含有较高含量的杂质。经过多次实验，本发明研究人员发现，当立式CVD反应炉中进行生长放映，沿着反应炉顶部至底部方向，将碳源进气口设置在反应炉的15至12炉长位置处，能生长得到杂质含量较少的单壁碳纳米管。基于上述发现，本发明人员对CVD法制备单壁碳纳米管的进气方式及进气位置进行了优化，由此提出了本发明。
主权项：1.一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、提供立式CVD反应炉，并将催化剂置于反应炉中；S2、提供用于向反应炉喷射碳源的喷枪，以反应炉的高度计，沿着反应炉顶部至底部方向，使喷枪出口的末端位于反应炉的15至12位置处；S3、将反应炉升温至800~1200℃，待温度稳定后，通过喷枪向反应炉通入碳源，收集黑色粉末，即为单壁碳纳米管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡松煜科技有限公司 一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法
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