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一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法 

申请/专利权人:浙江大学;上海大学

申请日:2020-04-26

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN111443313B

主分类号:G01R33/032

分类号:G01R33/032;G01D5/353;G01R33/00;B29C64/135;B33Y10/00;B33Y80/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要:本发明公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F‑P磁场传感器,其特征在于包含单模光纤、毛细管和F‑P腔微结构;所述F‑P腔微结构与所述单模光纤的一端由3D打印直接打印连接,F‑P腔微结构的外围套设有毛细管,毛细管的两端密封形成密封腔体,密封腔体内充满磁流体;所述单模光纤的另一端通过光纤耦合器分别连接宽谱光源和光谱分析仪;其原理与传统的内部填充磁流体的光纤磁场传感器不同,通过在波导周围填充磁流体所产生的倏逝耦合效应,突破了磁流体高吸收性对传感器磁场灵敏度的限制,具有较高的磁场灵敏度;打印制备的F‑P磁场传感器仅为微米尺寸,封装后的传感头在毫米量级,具有小型化的优点。

主权项:1.一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于包含单模光纤(3-1)、毛细管(3-5)和F-P腔微结构;所述F-P腔微结构与所述单模光纤(3-1)的一端由3D打印直接打印连接,F-P腔微结构的外围套设有毛细管(3-5),毛细管(3-5)的两端密封形成密封腔体,密封腔体内充满磁流体,所述毛细管(3-5)的直径大于单模光纤(3-1)的直径;所述单模光纤(3-1)的另一端通过光纤耦合器(2)分别连接宽谱光源(1)和光谱分析仪(4);所述的F-P腔微结构包括波导(3-3)、第一平面(3-2)、第二平面(3-4)和支撑结构;所述的波导(3-3)与单模光纤(3-1)的纤芯对齐,第一平面(3-2)和第二平面(3-4)分别与波导(3-3)的两端垂直连接,且第一平面(3-2)与单模光纤(3-1)的一端相接触;波导(3-3)的外围设有连接第一平面(3-2)和第二平面(3-4)的支撑结构;所述的波导(3-3)由锥形体和圆柱体构成,锥形体的小端面与圆柱体的一个端面匹配连接,锥形体的大端面与单模光纤(3-1)的纤芯直径相同。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江大学;上海大学 一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法

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