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申请/专利权人：盐城师范学院
申请日：2023-08-31
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN221239641U
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/20;H01L33/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权
摘要：本实用新型公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体、图形化的P型半导体和量子阱。该基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体，其特征在于：所述N型半导体上设有量子阱，量子阱上连接有小于特定载流子浓度半导体或绝缘图形化结构，量子阱的上方设有与其相适配的图形化的P型半导体，能够增加LED器件中的P型载流子浓度，增加复合效率，带有小于特定载流子浓度半导体或绝缘图形化结构的量子阱能够降低表面辐射复合，减少量子阱内部光源的全反射，降低电热损失，提高电光转换效率，提高出光效率。此种方法能兼容现有的LED芯片或灯珠的工艺方法，该方法简单可靠，具有极大的应用市场。
主权项：1.一种基于结构增压提高图形化的P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体3，其特征在于：所述N型半导体3上设有量子阱1，量子阱1包括绝缘图形化结构8，量子阱1的上方的P型半导体2包含与其相适配的图形化结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盐城师范学院 一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件
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