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申请/专利权人：中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
申请日：2021-09-24
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113846317B
主分类号：C23C16/505
分类号：C23C16/505;C23C16/52;C23C14/46;C23C14/54
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.01.14#实质审查的生效;2021.12.28#公开
摘要：本申请涉及一种电离腔室、射频离子源及其控制方法，所述电离腔室包括：底部和侧壁，所述底部连接供气管道，前端设置为射频离子源的栅网；其中，所述供气管道通入的气体在射频电作用下在所述电离腔室内进行电离产生等离子体；在所述侧壁上还设置有导电材料制成的屏蔽罩，所述屏蔽罩连接电源的正极端；所述屏蔽罩用于在电离腔室中产生由侧壁向中心方向的电场，所述等离子体在所述电场作用下偏移，控制等离子体从所述栅网的出射位置；该技术方案，可以改善等离子体在电离腔室内的分布情况，从而减少等离子体分布不均匀而造成栅网位置刻蚀严重的情况，延长栅网的使用寿命。
主权项：1.一种电离腔室，应用于射频离子源，包括底部和侧壁，所述底部连接供气管道，前端设置为射频离子源的栅网；其中，所述供气管道通入的气体在射频电作用下在所述电离腔室内进行电离产生等离子体；其特征在于，在所述侧壁上还设置有导电材料制成的屏蔽罩，所述屏蔽罩连接电源的正极端；所述屏蔽罩用于在电离腔室中产生由侧壁向中心方向的电场，所述等离子体在所述电场作用下偏移，使得部分等离子体向中心方向偏移，控制等离子体从所述栅网的出射位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司 电离腔室、射频离子源及其控制方法
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