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申请/专利权人：深圳市金和思锐科技有限公司
申请日：2022-04-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN115019853B
主分类号：G11C13/00
分类号：G11C13/00;G06F7/48
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开
摘要：本发明公开了基于忆阻器的多比特存算一体存算单元及控制方法，该存算单元包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、第四忆阻器、第五忆阻器、第一偏置电流源、第二偏置电流源、第三偏置电流源和第四偏置电流源，其中，第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、第四忆阻器和第五忆阻器依次串联，第一场效应管分别与第一忆阻器、第一输入电压端和第二输入电压端连接，第二场效应管分别与第一忆阻器和第二忆阻器的连接点、第一偏置电流源的正极连接，第二到第五场效应管的漏极共连并作为存算单元的输出端，实现了存算单元能够储存多个比特的权重和获得多个比特的乘加结果。
主权项：1.基于忆阻器的多比特存算一体存算单元，其特征在于，所述存算单元包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、第四忆阻器、第五忆阻器、第一偏置电流源、第二偏置电流源、第三偏置电流源和第四偏置电流源，其中：所述第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、第四忆阻器和第五忆阻器依次串联，所述第一忆阻器的一端与所述第一场效应管的源极连接，所述第一场效应管的栅极与第二输入电压端连接，所述第一场效应管的漏极与第一输入电压端连接，所述第一忆阻器和第二忆阻器的连接点还与第二场效应管的栅极连接，所述第二场效应管的源极与所述第一偏置电流源的正极连接，所述第二场效应管的漏极、第三场效应管的漏极、第四场效应管的漏极和第五场效应管的漏极四点共连且作为所述存算单元的输出端，所述第三场效应管的源极与所述第三偏置电流源的负极连接，所述第四场效应管的源极与所述第二偏置电流源的正极连接，所述第五场效应管的源极与所述第四偏置电流源的负极连接，所述第五忆阻器的一端与第三输入电压端连接。
全文数据：
权利要求：
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