申请/专利权人：淮阴工学院

申请日：2019-08-13

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN110514872B

主分类号：G01Q60/02

分类号：G01Q60/02;B82Y30/00;B82Y35/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2019.12.24#实质审查的生效;2019.11.29#公开

摘要：本发明公开了一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法，属于纳米铁电材料制备和微纳表征技术领域，通过离子束刻蚀铁电薄膜获得高密度纳米点阵列；借助于矢量压电力显微术表征获得铁电拓扑畴的畴结构；使用导电原子力显微镜观测到纳米点中的导电通道，二维电流图像表明单个纳米点中的导电区域为几十纳米，这些导电通道具有类似于金属导电的特性；联合压电力显微镜和导电原子力显微镜获得极化对导电性的调控；可用于开发非易失性的、高密度的铁电随机存取存储器；纳米点的中心型畴结构为研究铁电拓扑畴及拓扑材料提供方案；同时，纳米点的导电性可以通过极化翻转进行调控，提供的表征方法可以将这种调控可视化，提升数据的直观性、可靠性。

主权项：1.一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：使用离子束刻蚀方法刻蚀铁酸铋BFO薄膜，获得高密度BFO铁电纳米点阵列；S2：采用压电力显微镜PFM表征方法对高密度BFO铁电纳米点阵列表征，获得初始状态下纳米点的畴结构；S3：采用导电原子力显微镜CAFM表征方法对高密度BFO铁电纳米点阵列表征，获得初始状态下纳米点的导电特性；S4：联合压电力显微镜PFM表征方法与导电原子力显微镜CAFM表征方法对高密度BFO铁电纳米点阵列进行表征，获得纳米点阵列的极化翻转前后的导电性特征，将极化对导电性的调控可视化；所述的S2中，所述的压电力显微镜PFM表征方法是使用矢量PFM技术，首先同时测量纳米点的面外和面内的极化分布，然后重组极化获得纳米点阵列中拓扑畴的三维畴结构，为利用极化调控拓扑畴的导电性做准备；所述的S3中，所述的导电原子力显微镜CAFM表征方法是首先寻找纳米点阵列与未完全刻蚀的分界区域，同时测量形貌和导电特性，以表明离子束刻蚀方法获得的高密度BFO铁电纳米点阵列与铁电薄膜相比具有导电性增强的特性；通过导电原子力显微镜CAFM表征方法施加不同针尖偏压在样品同一区域多次扫描，以验证纳米点中出现的导电增强特性是真实的；所述的S4中，所述的联合是先使用压电力显微镜PFM表征方法获得样品的初始状态畴结构，导电原子力显微镜CAFM表征方法获得初始状态电流图像；然后，利用针尖直流电压扫描写入矩形图案，实现在铁电纳米点阵列中面外极化翻转，并通过压电力显微镜PFM表征方法确认；然后，在CAFM针尖上施加直流电压测量电流图像；CAFM施加的电压均低于样品的矫顽电压，以保证不会改变极化方向，实现极化调控导电性的可视化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 淮阴工学院 一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD