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申请/专利权人：浙江大学
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265420A
主分类号：H10K85/50
分类号：H10K85/50;H10K71/30;H10K50/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种经掺杂可实现p型、n型以及i型导电性的钙钛矿半导体；其中，掺杂的钙钛矿材料根据导电类型极性又可分为p型、n型以及i型本征钙钛矿半导体。这些钙钛矿半导体特性可调，经掺杂后的钙钛矿材料组分为A’2An‑1BnX3n+1:D或ABX3:D，其中A’为有机阳离子，A为一价阳离子，B为金属阳离子，X为一价阴离子，D为掺杂剂。基于经掺杂的钙钛矿半导体的光电子器件可以摆脱对电子传输层或空穴传输层的依赖，从而简化器件工艺，降低器件制备复杂性和成本。基于可控掺杂的钙钛矿半导体材料的发光二极管、太阳能电池、和晶体管可展现出优异的性能。
主权项：1.一种经掺杂可实现p型、n型以及i型导电性的钙钛矿半导体，其特征在于：经掺杂后的钙钛矿材料组分为A’2An-1BnX3n+1:D或ABX3:D，其中n＝1,2,3,…，A’为有机阳离子，A为一价阳离子，B为金属阳离子，X为一价阴离子，D为掺杂剂，以金属阳离子B为基准，D与B的摩尔比例在0％-80％范围；p型钙钛矿半导体指的是其中负责导电的多数载流子为空穴的钙钛矿材料，展现p型传输特性；n型钙钛矿半导体指的是其中负责导电的多数载流子为电子的钙钛矿材料，展现n型传输特性；i型钙钛矿半导体指的是其中负责导电的电子与空穴浓度相当，展现绝缘特性或者双极性传输特性；其半导体禁带宽度可调，其带隙一般在0.5eV–4eV范围；在室温条件下，其载流子浓度在1010cm-3-1020cm-3范围；在室温条件下，其载流子迁移率在10-4cm2V-1s-1–1000cm2V-1s-1范围；其荧光量子产率在0.1％-95％范围；可通过在钙钛矿半导体中引入掺杂剂，实现上述电学特性或光电特性的可靠调控。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种经掺杂可实现p型、n型以及i型导电性的钙钛矿半导体
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