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申请/专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日：2021-10-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114016122B
主分类号：C30B15/00
分类号：C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.02.25#实质审查的生效;2022.02.08#公开
摘要：本发明公开了一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法，具体为：将N型母合金及硅料装入石英坩埚内，全熔稳定，熔化，待硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；单晶炉运行过程中采用高炉压；将坩埚转速开至引晶转速，晶体转速11‑14转分钟；稳定熔体，引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶、放肩、转肩、等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制晶体生长、收尾以及停炉；通过改变晶体转速，增加磷元素在硅中的溶解均匀性，改变炉压，防止局部温高导致磷元素挥发，硅液中溶解磷均匀性差，同时降低等径时拉速，使生长界面变得相对平坦，降低了大尺寸直拉单晶N型硅片由中心和边缘位置电阻率不均匀而导致转换效率低的问题。
主权项：1.一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将N型母合金及硅料装入单晶炉的石英坩埚内，全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；单晶炉运行过程中工艺炉压采用高炉压，炉压设定16~20Torr；（2）将坩埚转速开至引晶转速，晶体转速采用高转速，转速在11~14转分钟；（3）稳定熔体，引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶、放肩、转肩、等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制晶体生长、收尾以及停炉；等径时，晶体等径生长最高拉速控制在1.2~1.6mmmin，等径时手动控制等径生长至30～50mm；采用Dash缩颈排除位错法引晶过程中细颈为Φ5～Φ6mm之间，长度150mm；（4）取棒拆炉，将得到的晶棒切割得到大尺寸N型硅片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司 一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法
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