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一种可减少硅片表面颗粒沾污的硅精抛液 

申请/专利权人:博力思(天津)电子科技有限公司

申请日:2022-12-23

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN115851138B

主分类号:C09G1/02

分类号:C09G1/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2023.04.14#实质审查的生效;2023.03.28#公开

摘要:本发明为一种可以减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液,所述精抛液包含硅溶胶磨料、有机酸、碱性化合物、水溶性高分子、表面活性剂、去离子水,所述精抛液中碱性化合物为占精抛液总质量的0.05%的高纯氨水,利用有机酸调控精抛液pH为10.5。本发明中在特定含量的高纯氨水存在下,利用单元或多元的有机酸来调控达到终了pH值,可以在一定程度上抑制磨料颗粒的团聚,显著降低了硅片精抛后表面颗粒的沾污数量。

主权项:1.一种可减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液,其特征为:利用有机酸调控精抛液pH为10.5;所述精抛液中按质量百分比计包含如下组成:硅溶胶:15%-25%;有机酸:0.1%-0.5%;碱性化合物:0.05%;水溶性高分子:0.2%-0.5%;表面活性剂:0.02%-0.08%;余量为去离子水;所述有机酸为乙酸、山梨酸、乙二酸或酒石酸;所述表面活性剂为:JFCE、AEO-3、AEO-7、AEO-9中的一种;所述水溶性高分子为纤维素衍生物,所述纤维素衍生物为羟乙基纤维素HEC、羧甲基纤维素CMC、羟丙基纤维素HPC中的至少一种;使用所述精抛液进行抛光的条件是:机台:Universal-300T;抛头抛盘转速:9392rpm;压力:2.5psi;流量300mlmin;时间:120s;精抛液与去离子水稀释比为1:20;硅片表面37nm以上的颗粒数量为控制在35个以内,且精抛液稳定性好;所述碱性化合物为氨水,对纤维素类的水溶性高分子助溶作用,也会降低含纤维素类水溶性高分子精抛液的粘度,能够抑制磨料颗粒的团聚;利用有机酸来调控达到终了pH值,抑制磨料颗粒的团聚。

全文数据:

权利要求:

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