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申请/专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日：2023-05-04
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN116435226B
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2023.08.01#实质审查的生效;2023.07.14#公开
摘要：本发明公开了一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备，具体涉及半导体单晶硅片衬底制造领域，包括热处理炉，所述热处理炉的一端外部固定安装有控制器，所述热处理炉的内部固定设有炉体载舟，所述炉体载舟的上方活动设有石英载舟，所述石英载舟的上方活动装载有硅片，所述热处理炉的表面固定安装有加热板，所述热处理炉远离控制器的一端连通有集成调节阀，所述集成调节阀的一端连通设有真空泵、第一溶液蒸发器、第二溶液蒸发器和尾气收集机构，所述第一溶液蒸发器的一端连通设有氧气罐。本发明操作简便，效果显著，灵活性强，能够有效去除半导体单晶硅片衬底表面吸附金属及体内沉淀金属。
主权项：1.一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备，包括热处理炉1，其特征在于：所述热处理炉1的一端外部固定安装有控制器2，所述热处理炉1的内部固定设有炉体载舟3，所述炉体载舟3的上方活动设有石英载舟4，所述石英载舟4的上方活动安装有硅片5，所述热处理炉1的表面固定安装有加热板6，所述热处理炉1远离控制器2的一端连通有集成调节阀7，所述集成调节阀7的一端连通设有真空泵8、第一溶液蒸发器9、第二溶液蒸发器10和尾气收集机构11，所述第一溶液蒸发器9的一端连通设有氧气罐12，所述第二溶液蒸发器10的一端连通设有氮气罐13，所述集成调节阀7与第一溶液蒸发器9之间、集成调节阀7与第二溶液蒸发器10之间、集成调节阀7与尾气收集机构11之间、第一溶液蒸发器9与氧气罐12之间及第二溶液蒸发器10与氮气罐13之间均安装有气体流量计14，所述加热板6的外周套设有保温层15，所述硅片5的外周设有本征氧化层16和高温氧化膜17，且高温氧化膜17位于本征氧化层16的外周，所述高温氧化膜17的内部活动设有外吸附金属18，所述硅片5的内部活动设有内沉淀金属19。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江海纳半导体股份有限公司 一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备
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