申请/专利权人：成都纳川微电子科技有限公司

申请日：2024-04-28

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN118117994B

主分类号：H03K5/24

分类号：H03K5/24;H03M1/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开

摘要：本申请公开了一种应用于FlashADC的比较器及失调校正方法，所述比较器包括恒流源Ib1、Ib2，NMOS管M0、M1、M2、M3、M8、M9、M11，PMOS管M4、M5、M6、M7、M10、M12，所述恒流源Ib1、Ib2为比较器提供偏置电流，所述NMOS管M2、M3为输入差分对管；所述NMOS管M0被配置为：漏极及栅极接恒流源Ib1、源极接地，并与NMOS管M1组成电流镜结构，为NMOS管M1提供偏置电流；比较器传统比较器技术相比，在同一级当中将预放大和锁存过程先后进行，将预放大和锁存放到同一级实现，消除了传统两级比较器技术中级间驱动的过程，实现了比较器速度的提升。

主权项：1.一种应用于FlashADC的比较器，其特征在于，所述比较器包括恒流源Ib1、Ib2，NMOS管M0、M1、M2、M3、M8、M9、M11，PMOS管M4、M5、M6、M7、M10、M12，所述恒流源Ib1、Ib2为比较器提供偏置电流，所述NMOS管M2、M3为比较器的输入差分对管，所述NMOS管M9、M11为比较器的输出差分对管；所述NMOS管M0被配置为：漏极及栅极接恒流源Ib1一端、源极接地，并与NMOS管M1组成电流镜结构，为NMOS管M1提供偏置电流；所述NMOS管M8被配置为：漏极及栅极接恒流源Ib2一端、源极接地，并与NMOS管M9、M11组成电流镜结构，为NMOS管M9、M11提供偏置电流；所述NMOS管M2被配置为：源极接NMOS管M1的漏极，栅极接第一差分输入电压Vip，漏极同时接PMOS管M4的漏极和栅极、开关K5的一端、PMOS管M6的栅极、PMOS管M12的栅极及开关K1的一端，所述开关K5的另一端接PMOS管M7的漏极；所述NMOS管M3被配置为：源极接NMOS管M1的漏极，栅极接第二差分输入电压Vin，漏极同时接PMOS管M5的漏极和栅极、开关K6的一端、PMOS管M7的栅极、PMOS管M10的栅极及开关K2的一端，所述开关K6的另一端接PMOS管M6的漏极；所述PMOS管M12被配置为：漏极同时接NMOS管M11的漏极、开关K3的一端，所述PMOS管M10被配置为：漏极同时接NMOS管M9的漏极，开关K4的一端；所述PMOS管M4、M5、M6、M7、M10、M12的源极、所述开关K1另一端、开关K2另一端开关K3另一端、开关K4另一端、恒流源Ib1另一端、恒流源Ib2另一端均连接低功耗开关模块的输出端，所述低功耗开关模块输入端接电源电压Vdd。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都纳川微电子科技有限公司 一种应用于Flash ADC的比较器及失调校正方法

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