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申请/专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院
申请日：2024-04-02
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118245425A
主分类号：G06F15/16
分类号：G06F15/16;G06N3/063;G06N3/049
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种基于脉冲ADC电路的超存算一体NoC电路，具体涉及NoC技术领域，包括挂载式多核协同超存算NoC电路；所述挂载式多核协同超存算NoC电路包括：量化自适应脉冲ADC电路；所述量化自适应脉冲ADC电路包括：缓冲电容、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NOMS晶体管、第四NOMS晶体管、或非门、降低功耗电路和运放。本发明通过设置量化自适应脉冲ADC电路，实现电荷量到脉冲数量转化功能，允许根据挂载到自身上初级存算一体核的数量调整放电电容容值，从而自适应的调整量化精度；通过挂载式多核协同超存算NoC电路，实现了低功耗可重构的多核协同方案，使用脉冲作为初级存算核与超存算NoC之间的数据交互方式实现了初级存算一体核之间的去耦合。
主权项：1.一种基于脉冲ADC电路的超存算一体NoC电路，其特征在于：所述超存算一体NoC电路包括：挂载式多核协同超存算NoC电路1；所述挂载式多核协同超存算NoC电路1包括：量化自适应脉冲ADC电路11；所述量化自适应脉冲ADC电路11包括：缓冲电容C1、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NOMS晶体管N3、第四NOMS晶体管N4、或非门NOR、降低功耗电路2和运放COM；所述缓冲电容C1的正极分别与输入端Vref、输入端Vcbl和第一NMOS晶体管N1的漏极D连接；所述第一NMOS晶体管N1的源极S与第二NMOS晶体管N2的漏极D连接，所述第一NMOS晶体管N1的栅极G与偏置电压Vb连接；所述第二NMOS晶体管N2的源极S、第三NOMS晶体管N3的漏极D、第四NOMS晶体管N4的漏极D均和降低功耗电路2的正极相连接，所述第二NMOS晶体管N2的栅极G与或非门NOR的输出端连接；所述第三NOMS晶体管N3的源极S和第四NOMS晶体管N4的源极S均接地；所述运放COM的两个输入端分别与输入端Vref与降低功耗电路2的正极连接，所述运放COM的输出端依次通过若干个反相器与第四NOMS晶体管N4的栅极G连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京航空航天大学合肥创新研究院 一种基于脉冲ADC电路的超存算一体NoC电路
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