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申请/专利权人：CMC材料有限责任公司
申请日：2020-07-01
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114127211B
主分类号：C11D1/38
分类号：C11D1/38;C09G1/02
优先权：["20190716 US 16/513,404"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.12.12#著录事项变更;2022.03.18#实质审查的生效;2022.03.01#公开
摘要：本发明涉及化学机械抛光组合物，其包含：a第一研磨剂，其包含阳离子改性的胶体二氧化硅颗粒，b第二研磨剂，其具有约5.5或更高的莫氏硬度，c阳离子聚合物，d含铁活化剂，e氧化剂，及f水。本发明还涉及使用该抛光组合物化学机械抛光基板、尤其是包含钨层及阻挡层例如，氮化物的基板的方法。
主权项：1.化学机械抛光组合物，其包含：a混合颗粒研磨剂，其由以下组成：包含阳离子改性的胶体二氧化硅颗粒的第一研磨剂及具有5.5或更高的莫氏硬度的第二研磨剂，其中所述第二研磨剂选自α-氧化铝颗粒、氧化锆颗粒、金刚石颗粒及其组合，b阳离子聚合物，c含铁活化剂，d氧化剂，及e水。
全文数据：
权利要求：
百度查询： CMC材料有限责任公司 在主体钨浆料中提高阻挡膜移除速率的方法
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