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化合物、液晶组合物和高频移相器 

申请/专利权人:DIC株式会社

申请日:2020-10-08

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN114364680B

主分类号:C07D495/04

分类号:C07D495/04;C09K19/34;G02F1/13;H01P1/18;H01Q3/34

优先权:["20191021 JP 2019-191942"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要:本发明所要解决的课题在于提供一种化合物、含有该化合物的液晶组合物和使用该液晶组合物的元件,所述化合物具有大的折射率各向异性Δn,对液晶组合物的相容性高,添加在液晶组合物中制作元件时,不易使元件的电压保持率降低。本发明提供下述通式I所表示的、具有噻吩并噻吩结构的化合物,并且提供含有该化合物的液晶组合物和使用该液晶组合物的元件。

主权项:1.一种化合物,其由下述通式I表示, 式中,R1表示碳原子数1至8的直链状或支链状烷基或碳原子数2至8的炔基,A1和A2各自独立地表示选自下述式A-1、A-3、A-4、A-5、A-6和A-7中的基团,在A1存在多个的情况下,它们可以相同也可以不同, 式中,虚线表示结合位置,L1表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或碳原子数1至10的直链状烷基,在L1存在多个的情况下,它们可以相同也可以不同,Z1和Z2各自独立地表示单键、-CH=CH-或-C≡C-,Z3表示-C≡C-,在Z1存在多个的情况下,它们可以相同也可以不同,m1表示0、1或2的整数,m2表示0的整数,m1+m2表示0至2的整数,Ax表示选自下述式Ax-1和式Ax-2中的基团, 式中,虚线表示结合位置,X1和X2各自独立地表示氢原子或碳原子数1至8的烷基,Y1、Y3、Y4和Y6各自独立地表示氢原子、氟原子或氯原子,Y2和Y5各自独立地表示氟原子、氯原子、氰基、碳原子数1至8的烷基、任意的氢原子可以被氟原子取代的碳原子数1至7的烷氧基,其中,所述通式I中的 所表示的结构与 所表示的结构不相同。

全文数据:

权利要求:

百度查询: DIC株式会社 化合物、液晶组合物和高频移相器

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