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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2022-10-19
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN115441209B
主分类号：H01Q17/00
分类号：H01Q17/00;H01F1/057;H01F13/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开
摘要：本发明属于太赫兹吸波材料领域，具体提供一种基于Nd2Fe14B的太赫兹吸波材料。本发明采用Nd2Fe14B永磁薄膜或片状材料，通过饱和外磁场后退磁处理使其获得显著太赫兹磁谱磁导率，实现较强太赫兹磁损耗，即实现太赫兹波的吸收；并且，通过控制薄膜材料的厚度、长宽比、设计阵列结构的片状材料，以及控制施加外磁场的方向、大小，能够调节剩余磁化状态，进而调控材料的太赫兹磁响应，在0.19THz～0.22THz得到显著的太赫兹磁导率。综上，本发明使用自然材料，利用当下的薄膜制备技术，使得传统的永磁材料在太赫兹波段有强烈的磁响应，具有广泛应用场景，填补了自然材料在太赫兹频段无明显磁响应的空白。
主权项：1.一种基于Nd2Fe14B的太赫兹吸波材料，其特征在于，所述太赫兹吸波材料为Nd2Fe14B永磁薄膜或片状材料，所述Nd2Fe14B永磁薄膜或片状材料在面内方向或面外方向施加外磁场H、且外磁场H依次递减至0，使得Nd2Fe14B永磁薄膜或片状材料处于剩余磁化状态；当外磁场H沿Nd2Fe14B永磁薄膜面内方向时、外磁场的最大值不低于面内磁化饱和场的15，当外磁场H沿Nd2Fe14B永磁薄膜面外方向时、外磁场的最大值不低于面外磁化饱和场的45。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于Nd2Fe14B的太赫兹吸波材料
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