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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明提供一种晶片承载装置、等离子体处理装置及其温度控制方法；其中，晶片承载装置的基座包括主承载区域和外围区域，主承载区域上设置有用于支撑晶片的静电卡盘，外围区域用于支撑围绕着静电卡盘及晶片的聚焦环，主承载区域和外围区域内分别设有可供控温介质流动的通道；主承载区域的通道和外围区域的通道之间设有第一隔热部；主承载区域的通道内的控温介质，用于调整主承载区域的基座温度，进而调整晶片的温度；外围区域的通道内的控温介质，用于调整外围区域的基座温度，进而调整聚焦环的温度。本发明在聚焦环下方的基座内单独设置一路供控温介质流动的通道，可以更有效地调节晶片边缘的温度，并可以改善聚焦环的温度。
主权项：1.一种晶片承载装置，其特征在于，包括：基座，其包括主承载区域和外围区域，所述外围区域围绕着主承载区域，所述主承载区域上设置有用于支撑晶片的静电卡盘，所述外围区域用于支撑围绕着静电卡盘及晶片的聚焦环，所述主承载区域和外围区域内分别设有可供控温介质流动的通道；第一隔热部，设于所述主承载区域的通道和外围区域的通道之间；所述主承载区域的通道内的控温介质，用于调整主承载区域的基座温度，进而调整晶片的温度；所述外围区域的通道内的控温介质，用于调整外围区域的基座温度，进而调整聚焦环的温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 晶片承载装置、等离子体处理装置及其温度控制方法
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