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申请/专利权人：华东交通大学
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118261218A
主分类号：G06N3/065
分类号：G06N3/065;G06N3/048;G06F17/13
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种具有近端忆阻电磁辐射和Y型结构的混沌神经网络电路，包括Y型结构神经网络电路、近端电磁辐射电路和忆阻电路。Y型结构神经网络电路输出神经元的膜电位信号并将其作为混沌信号，近端电磁辐射电路接受两个近端神经元的膜电位信号输入并将膜电位的差值输入忆阻电路，以此模拟神经网络的近端电磁辐射，通过数值仿真和电路实验可知，在不同的初始膜电位情况下，所述神经网络有着共存混沌吸引子的复杂动力学行为，与现有混沌神经网络电路相比，本发明创造的电路采用特殊的网络结构和近端辐射效应，有助于探索大脑的记忆机制，并且能对研究大脑的某些神经性疾病提供帮助。
主权项：1.一种具有近端忆阻电磁辐射和Y型结构的混沌神经网络电路，其特征在于，所述电路包括用以产生膜电位信号和混沌信号的Y型结构的混沌神经网络电路、用于产生膜电位差值信号的近端电磁辐射电路和用于代替忆阻器的忆阻电路；所述Y型结构的混沌神经网络电路包括神经元N1电路、神经元N2电路、神经元N3电路和神经元N4电路；在Y型结构的混沌神经网络结构中，神经元N1对神经元N2和神经元N3有输出并有自突触；神经元N2对神经元N1、神经元N3和神经元N4有输出并无自突触；神经元N3对神经元N1和神经元N2有输出并有自突触；神经元N4对神经元N2并有自突触；近端忆阻电磁辐射在神经元N4和神经元N2中存在。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东交通大学 具有近端忆阻电磁辐射和Y型结构的混沌神经网络电路
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