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高能射线下SF6气体电离状态对GIS损伤的定性评估方法 

申请/专利权人:四川赛康智能科技股份有限公司

申请日:2022-12-19

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118258839A

主分类号:G01N23/225

分类号:G01N23/225

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本申请公开了高能射线下SF6气体电离状态对GIS损伤的定性评估方法,包括建立与待评估GIS检测项目的理论等效管;以待评估GIS检测项目相同阳极丝电压U,管内SF6压强P和射线能量eV注入理论等效管;通过Garfield可将电子输运到极低能量,能够模拟电子雪崩过程,获得电子雪崩并转化成流注放电起始临界值K,通过Geant4TOPAS模拟射线与物质相互作用过程,通过MCCM算法计算位移原子的相对数量来评估GIS材料的辐照损伤程度。本发明能够对高能X射线照射下SF6气体电离产生的电子、离子的迁移规律进行充分的展示,评估GIS内部部件中能量沉积与辐射损伤程度,实现多物理场耦合下SF6气体的绝缘性变化规律,掌握高能X射线辐照下的GIS无损检测射线安全阙值。

主权项:1.高能射线下SF6气体电离状态对GIS损伤的定性评估方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤STP100,建立与待评估GIS检测项目的理论等效管;步骤STP200,以待评估GIS检测项目相同阳极丝电压U,管内SF6压强P和射线能量eV注入理论等效管;步骤STP300,通过COMSOLMultiphysics对建立的理论等效管进行电场分析并对理论等效管的阳极丝直径,管径进行调整获得实际等效管;步骤STP400,通过Garfield可将电子输运到极低能量,能够模拟电子雪崩过程,获得电子雪崩并转化成流注放电起始临界值K,其中流注放电起始临界值K通过以下公式①获得: 其中,d为电极距离;Ncrit为临界电子崩头部电子数;K为常数;步骤STP500,通过Geant4TOPAS模拟射线与物质相互作用过程,通过MCCM算法计算位移原子的相对数量来评估GIS材料的辐照损伤程度,其中,位移原子的相对数量越多说明损伤程度越显著,位移原子的相对数量越少说明损伤程度越轻微。

全文数据:

权利要求:

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