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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118258544A
主分类号：G01L21/00
分类号：G01L21/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种抑制沉积结构件及真空规，包括：第一挡片，所述第一挡片为环形件，所述环形件的两端为具有轴向高度差的大端、小端，所述第一挡片大端的端口尺寸大于所述第一挡片小端的端口尺寸；所述第一挡片的小端与第一连接筒连接；顶片，所述顶片位于所述第一挡片的大端侧；所述顶片通过连接件与所述第一挡片间隔设置。本发明技术方案通过环形件构成挡片对工艺气体中的副产物颗粒进行沉积、反弹与阻挡，副产物颗粒不会冲击并沉积在真空规的压力测量元件上，从而避免沉积的副产物颗粒侵蚀压力测量元件，同时保证抑制沉积结构件的使用寿命。
主权项：1.一种抑制沉积结构件，其特征在于，包括：第一挡片，所述第一挡片为环形件，所述环形件的两端为具有轴向高度差的大端、小端，所述第一挡片大端的端口尺寸大于所述第一挡片小端的端口尺寸；所述第一挡片的小端与第一连接筒连接；顶片，所述顶片位于所述第一挡片的大端侧；所述顶片通过连接件与所述第一挡片间隔设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种抑制沉积结构件及真空规
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